Onsemi 高性能MOS NVMFWS1D3N04XM獨有的T10M工藝為方案設計帶來更高的性能和可靠性。| 特徵 •低RDS（開啟）以最大限度地減少傳導損耗 •低電容，最大限度地減少驅動器損耗 •占地面積小（5 x 6 mm），設計緊湊 •AECQ101合格且具備PPAP能力 •這些設備不含Pb