Onsemi 高性能MOS NVMFWS1D3N04XM獨有的T10M工藝為方案設計帶來更高的性能和可靠性。|
特徵
•低RDS（開啟）以最大限度地減少傳導損耗
•低電容，最大限度地減少驅動器損耗
•占地面積小（5 x 6 mm），設計緊湊
•AECQ101合格且具備PPAP能力
•這些設備不含Pb−、無鹵素/BFR且符合RoHS
順從的
應用
•電機驅動
•電池保護
•同步整流
本產品Ciss僅2500pf，低電容和柵極電荷更好的改善開關損耗，使得開關過程波形非常乾淨，無震盪。
產品特點及優勢如圖 ：
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