微型逆變器是光伏系統中的關鍵組件，它能夠將太陽能電池板產生的直流電（DC）轉換為交流電（AC），以供家庭或商業用電。隨著太陽能光伏產業的快速發展，對高效、小型化、高可靠性的微型逆變器的需求日益增長。氮化鎵作為一種新型的第三代半導體材料，因其優異的電子特性，成為製造微型逆變器的理想選擇。 近期，英諾賽

       機器人系統隨工業4.0的發展不斷完善，其電源、傳感和控制標準也不斷提高，機器人的廣泛應用要求它體積更小，靈活性更高，能效更高。但由於Si器件的性能受限，電機驅動器存在損耗高、 發熱大、體積大等問題，已成為限制中高端電機應用的關鍵因素。因此，高效、高功率密度的電機驅動器已成為迫切需求。

據悉，OPPO發布的100W SUPERVOOC 超級閃充充電器（Inbox charger）採用了英諾賽科新一代合封氮化鎵晶片，可提供最大100W 充電功率，支持AC 100V-240V 寬幅電壓，適配OPPO Reno 和 Find X 系列旗艦機型。 OPPO 100W 超級閃充內置英諾賽科7

BMS 俗稱電池保姆或電池管家，主要是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現過充電和過放電，保障電池安全使用的同時延長使用壽命。 當前市面上出現的電池管理系統大多數採用 Si MOS，由於 Si MOSFET 具有寄生二極體，必須成對使用，才能進行充電電流、放電電流的控制。 針對 BMS 應

隨著液晶螢幕技術的成熟，越來越多超薄TV電視在市場湧現，既美觀又輕便，同時能夠提供超清畫質。 常見的超薄電視厚度在20毫米左右，但需要外置電源板，不僅占用空間，還增加了廠商的附屬件成本。 因此，更輕薄、更高效的TV電源成為市場所需。   英諾賽科推出300W超薄TV電源參考設計，內置4顆 700V

Layout設計中的幾個關鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱，英諾賽科高壓單管GaN的Layout設計也不例外。 反激拓撲是高壓單管GaN的典型應用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導致驅動振盪。

1）：t0-t1時間段，Vgs電壓下降至米勒平台電壓，此過程不產生損耗。 2）：t1-t2時間段，在此時間段內因Si MOS的Crss、Coss線性度差導致Vds緩慢上升，Id幾乎不變（Id=Ipk），造成損耗。 3）：t2-t3時間段，Vgs從米勒平台快速下降至零，Vds與Id交疊，產生關斷損耗。

1）：t0時刻，Vgs電壓達到Vth值，此時開關管未導通，無損耗。 2）：T0-t1時間段，Vgs電壓到達米勒平台電壓，存儲在Coss的能力通過溝道釋放，造成的損耗為Ploss=Eoss*fsw，InnoGaN的Eoss比Si MOS小，故損耗更小。 3）：t1-t2時間段，為米勒平台時間，Crss

芯仙能源技術有限公司推出了一款採用氮化鎵器件的雙向AC-DC變換器，這款變換器支持2000W輸出功率，並支持整流模式和逆變模式。 其中整流模式支持寬範圍交流輸入，額定輸出電壓為48V，並支持42-58V調節。 逆變模式支持42-58V輸入，輸出支持120或220Vac，最大輸出功率為2000W，轉換

氮化鎵開關速度比Si快數倍以上，考慮到開關過程中由於PCB寄生電感引起尖峰，震鈴，應力，EMC等問題，所以需要適當的PCB設計來減小寄生電感。 1）：減小驅動迴路寄生電感 驅動環路面積儘量小，驅動路徑儘量短，驅動阻容穩壓器件靠近GaN管，驅動地採用開爾文接法，驅動迴路採用上下層走線方式，PCB寄生電