BMS 俗稱電池保姆或電池管家，主要是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現過充電和過放電，保障電池安全使用的同時延長使用壽命。
當前市面上出現的電池管理系統大多數採用 Si MOS，由於 Si MOSFET 具有寄生二極體，必須成對使用，才能進行充電電流、放電電流的控制。 針對 BMS 應用領域，英諾賽科開發了 48V/120A BMS 評估板（INNDBMS120LS1），採用新品 100V 雙嚮導通晶片 VGaN 實現充放電控制與保護，大幅減少 PCB 占板面積，降低系統成本。
BMS 系統框圖
當前市面上出現的電池管理系統大多數採用 Si MOS，由於 Si MOSFET 具有寄生二極體，必須成對使用，才能進行充電電流、放電電流的控制。 針對 BMS 應用領域，英諾賽科開發了 48V/120A BMS 評估板（INNDBMS120LS1），採用新品 100V 雙嚮導通晶片 VGaN 實現充放電控制與保護，大幅減少 PCB 占板面積，降低系統成本。
BMS 方案優勢
小體積
65mm*180mm，PCB占板面積及PCB成本比Si MOS降低40%;
兼容性
採用目前主流的低邊AFE進行充放電控制，使用專門設計的邏輯轉換電路兼容當前Si方案的CHG/DSG控制邏輯;
散熱性能好
綜合考慮VGaN的封裝特點，優化PCB布局，實現最佳散熱性能;
雙嚮導通
英諾賽科 VGaN（INV100FQ030A）以一顆替代兩顆 Si MOS，降低成本。
實現 BMS 系統功能的關鍵
VGaN INV100FQ030A 是英諾賽科自研的新型功率器件，採用 4mmx6mm FCQFN 封裝，支持雙嚮導通，雙向截止，導通電阻僅為 100V/3.2mΩ，同時具備無反向恢復、超低柵極電荷等特性。
在 BMS 應用中，當系統需要正常充電或者正常放電時，通過在 Gate-D1 或者 Gate-D2 之間施加 5V 驅動電壓，可以將 VGaN 完全打開，實現系統充電或者放電; 當系統需要充電保護或者放電保護時，VGaN 的 Gate 信號可以被主動連接到D1或D2，實現系統充電關斷或者放電關斷，同時利用 VGaN 的“體二極體”特性，電路可以實現充電保護後放電，或者放電保護後充電; 因而可以實現一顆 VGaN 替換一對 CHG、DSG MOS 的功能。
在同等 100A 負載電流情況下， Si MOS 串並聯的 BMS 方案需要20顆器件實現，而採用 VGaN 的 BMS 方案 INNDBMS120LS1 僅需8顆即可滿足 100A溫升需求，器件數量減少了一半以上，在熱性能上優勢顯著。
BMS 應用領域
當前，英諾賽科開發的 INNDBMS120LS1（48V/120A）評估板可在電動自行車、儲能等 48V 電池系統中實現充電電流、放電電流的控制與保護。
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