經典導讀：隔離型驅動晶片下面到底能不能走線
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影片簡介
"經典導讀"短視頻專欄，致力於回顧並解讀英飛凌工業半導體微信公眾號上那些深受讀者喜愛的經典文章。我們聚焦碳化矽SiC、IGBT、驅動等功率半導體應用主題等，英飛凌的資深工程師們通過視頻真人導讀方式，分享文章、視頻等精彩內容中的技術要點與見解，與您一同重溫這些經典之作，欣賞技術的魅力。
本期英飛凌產品應用工程師鄭姿清精心挑選了《隔離型驅動晶片下面到底能不能走線》一文， 這篇文章既分析了驅動晶片下面布線的風險，尤其是SIC MOSFET這一高速開關器件，也給出了驅動晶片設計中電場干擾的特點和機理，為特殊情況下晶片下面布線提供設計參考，助力工程師設計驅動電路布線！
參考來源
英飛凌工業半導體 : http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA5Njk3NDA1Mg==&mid=2651032060&idx=1&sn=e38072dd7270dbaafc842251c84c668c&chksm=8b50cc77bc27456136d0803894bd7cb5b071edbb91fdc506afda248bfc625af009d4621a1abc#rd
