消費電子僅是GaN規模化應用的第一站,近年來,工業領域對GaN的需求也在逐步攀升。根據AKCP機構測算,2023年網絡設備、通信設備以及數據中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右,成為了“碳中和”最難啃的骨頭。其中,數據的需求將大幅度推高數據中心的建設速度,2023年,數據中心的能耗將占全球總用電量的8%左右。

因此,更高效率、更高功率密度的解決方案成為數據中心供電系統的迫切需求,而高頻高效的氮化鎵材料在服務器電源應用中顯然具備絕對優勢。



此前,英諾賽科在多個展會上推出的數據中心全鏈路解決方案中,就包含了 2KW 12V PSU 服務器電源方案,該方案完美符合 80 Plus 鈦金級能效,峰值效率高達96.5%,目標應用包括數據中心電源、通信電源和 LED 照明設備電源等能耗較大的系統,是降耗增效的關鍵。


通過效率測試可以看出,在輸入電壓 230Vac/264Vac 的條件下,英諾賽科 2KW PSU 方案的最高效率均達到 96.5%,能輕鬆滿足 80 Plus 鈦金級能效標準,為數據中心提供高效供電解決方案。

2KW PSU 方案採用 InnoGaN 650V 氮化鎵晶片實現功率轉換,其中,PFC 慢橋臂採用2顆INN650TA030AH(650V/30mΩ/Toll封裝),PFC 快橋臂採用2顆INN650TA070AH(650V/70mΩ/Toll封裝),LLC 橋臂採用4顆INN650D080BS(650V/80mΩ/DFN8*8封裝)。




與 Si MOS 相比,InnoGaN 具備低 Qg,低Co(tr),無反向恢復損耗 Qrr 等特性。其中,InnoGaN 的 Qg 為同等 Ron 的 Si MOS 的1/10,低 Qg 意味著更快的開關速度,可以有效降低開關損耗和驅動損耗;無反向恢復電荷 Qrr,這一特性使 InnoGaN 成為 CCM 圖騰柱無橋 PFC 的理想選擇;在 LLC 軟開關應用中,最小死區時間 Tdeadmin 正比於 Co(tr)*fsw*Lm,InnoGaN 的 Co(tr) 為同等 Ron 的 Si MOS 的1/8,更小的 Co(tr),意味著系統採用更小死區時間設計的同時,可實現更高的開關頻率和更小的勵磁電流設計,從而提升 LLC 的功率密度和系統效率。

英諾賽科2KW 12V PSU 方案不僅能夠為數據中心鏈路降耗增效,在通信電源、LED 照明等應用中同樣能夠體現小體積、高效率的優勢。

英諾賽科早已在數據中心領域進行產品布局,並在多場展會與研討會上發布了數據中心全鏈路(從前端PSU電源到主板DC/DC模塊,以及晶片的直接供電)解決方案。隨著頭部企業的引導和市場應用的深入,氮化鎵的優越性能逐漸顯現,將有望成為行業“標準”,實現數據中心電源的技術疊代。

►場景應用圖

►產品實體圖

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►展示板照片

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►方案方塊圖

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►核心技術優勢

1):高效率:在230Vac Vin下效率高達96.5%,符合 80Plus 鈦金級能效標準 2):高功率密度:76W/in3 3):1U標準尺寸:185mmx 65mmx 36mm(PCBA)

►方案規格

1):效率:96.5%@230 Vac (80 Plus 鈦金級能效) 2):功率密度:76W/in^3 3):InnoGaN: INN650TA070AH *2 INN650TA030AH *2 INN650D080BS *4

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