Jun

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世平安森美fdms86252mosfet
世平安森美 FDMS86252(MOSFET) VGS(th)電壓選用建議
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Duncan

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infineononmosfet
Infineon SiC FET 規格介紹(2)
SiC FET的導通阻抗Rds-on值會受到不同Vgs電壓的影響。在相同的溫度條件下，較高的SiC FET Vgs電壓會有較低的Rds-on值，可以進一步減少conduction loss， 因此在效率的表現上也會比較好。Infineon的SiC FET在Vgs建議電壓設計為15V~18V之間。 I
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Dylan

Dylan

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仿真看世界之SiC單管並聯中的寄生導通問題
作者：英飛凌工業半導體 這篇微信文章，其實構思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發布了兩篇基礎篇： 2020《仿真世界之SIC單管的寄生導通現象》 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管的並聯均流特性》 2022，讓我們再次聊聊在SiC單管並聯中的寄生導通問題。 特別提醒：仿真只是工
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应用工程副理

应用工程副理

mosfet1200vqq
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
作者：英飛凌工業半導體 在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規範。本文願就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。 下文所述，主要以英飛凌工業
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