各位工程師小夥伴們，新的一周到，歡迎繼續來大大通打卡簽到，了解一周最新動態！大大通直播專區第三代半導體系列研討會火熱進行中，本周二、周四早上10點，英飛凌、宜普電源專場與您相約！   打卡方式： 查看大大通最新方案&博文 報名&觀看大大通線上線下活動 連續在該簽到博文下評論，冒泡   本周重點關註：

直播時間 : 2024年06月27日 10:00 - 11:30 ♦ 研討會介紹 ♦ 主題一： iGaN功率器件 已瞄準全球工業電源市場 GaN擁有高頻切換與低傳導阻抗的特色，在電源產品的高功率密度與高校小型化扮演不可或缺的角色。安森美已事先將使用離散器件GaN所會遇到的難處，例如:要如何最佳化驅動

微型逆變器是光伏系統中的關鍵組件，它能夠將太陽能電池板產生的直流電（DC）轉換為交流電（AC），以供家庭或商業用電。隨著太陽能光伏產業的快速發展，對高效、小型化、高可靠性的微型逆變器的需求日益增長。氮化鎵作為一種新型的第三代半導體材料，因其優異的電子特性，成為製造微型逆變器的理想選擇。 近期，英諾賽

       機器人系統隨工業4.0的發展不斷完善，其電源、傳感和控制標準也不斷提高，機器人的廣泛應用要求它體積更小，靈活性更高，能效更高。但由於Si器件的性能受限，電機驅動器存在損耗高、 發熱大、體積大等問題，已成為限制中高端電機應用的關鍵因素。因此，高效、高功率密度的電機驅動器已成為迫切需求。

Layout設計中的幾個關鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱，英諾賽科高壓單管GaN的Layout設計也不例外。 反激拓撲是高壓單管GaN的典型應用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導致驅動振盪。

產品說明 EVSTGAP2GSN是一個半橋評估板，設計用於評估STGAP2GSN隔離單柵極驅動器。STGAP2GSN柵極驅動器具有2A源極和3A漏極能力以及軌對軌輸出，使該設備也適用於中高功率逆變器應用，如工業應用中的功率轉換和電機驅動逆變器。該器件允許通過使用專用柵極電阻器來獨立地優化導通和關斷。

1）：t0-t1時間段，Vgs電壓下降至米勒平台電壓，此過程不產生損耗。 2）：t1-t2時間段，在此時間段內因Si MOS的Crss、Coss線性度差導致Vds緩慢上升，Id幾乎不變（Id=Ipk），造成損耗。 3）：t2-t3時間段，Vgs從米勒平台快速下降至零，Vds與Id交疊，產生關斷損耗。

1）：t0時刻，Vgs電壓達到Vth值，此時開關管未導通，無損耗。 2）：T0-t1時間段，Vgs電壓到達米勒平台電壓，存儲在Coss的能力通過溝道釋放，造成的損耗為Ploss=Eoss*fsw，InnoGaN的Eoss比Si MOS小，故損耗更小。 3）：t1-t2時間段，為米勒平台時間，Crss

來源：內容轉自公眾號21tech（News-21），作者：李強 減碳趨勢下的節能、高效需求同樣給第三代半導體的登場搭好了舞台。 過去一段時間，儘管全球消費電子市場持續低迷，存儲晶片等各類半導體零部件的需求明顯減少，但廣泛用於光伏、風電等領域的功率半導體市場卻異常熱鬧。 特別是在能源轉型的巨大需求之下

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