微型逆變器是光伏系統中的關鍵組件，它能夠將太陽能電池板產生的直流電（DC）轉換為交流電（AC），以供家庭或商業用電。隨著太陽能光伏產業的快速發展，對高效、小型化、高可靠性的微型逆變器的需求日益增長。氮化鎵作為一種新型的第三代半導體材料，因其優異的電子特性，成為製造微型逆變器的理想選擇。 近期，英諾賽

       機器人系統隨工業4.0的發展不斷完善，其電源、傳感和控制標準也不斷提高，機器人的廣泛應用要求它體積更小，靈活性更高，能效更高。但由於Si器件的性能受限，電機驅動器存在損耗高、 發熱大、體積大等問題，已成為限制中高端電機應用的關鍵因素。因此，高效、高功率密度的電機驅動器已成為迫切需求。

作者：英飛凌官微 目前，我們正處於能源轉型期，亟需採取行動以應對全球變暖，確保未來的美好生活。為實現這個目標， 我們需要重新思考發電、輸電、電力儲能和用電的方式。能源、經濟和環境之間的關係一直是複雜而多變的。許多可持續發展方面的挑戰都來自於能源需求與效率之間的不協調。 寬禁帶解決方案正使能源的產生和

 1.氮化鎵GaN按照製造工藝，可以分為常開的耗盡型（D-mode）和常關的增強型（E-mode）兩種類型, ST 氮化鎵GaN 是E-mode (P-GaN) 工藝，以下的討論都基於P-GaN 。 在電源系統中，對於所有的功率器件，選擇正確的柵極驅動電路及進行合理設計，是實現電源系統最佳性能和增強

有助於簡化工業電源、便攜式設備充電器和交流/直流適配器操作，節省電能。   意法半導體 SRK1004 同步整流控制器降低採用矽基或 GaN 電晶體的功率轉換器的設計難度，提高轉換能效，目標應用包括工業電源、便攜式設備充電器和 AC/DC適配器。   SRK1004的檢測輸入能夠承受高達190V 的

ST 法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋晶片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。 意法半導體的MasterGaN產品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN電晶體(HEMT)與優化的柵極驅動器、系統保護功

Layout設計中的幾個關鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱，英諾賽科高壓單管GaN的Layout設計也不例外。 反激拓撲是高壓單管GaN的典型應用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導致驅動振盪。

產品說明 EVSTGAP2GSN是一個半橋評估板，設計用於評估STGAP2GSN隔離單柵極驅動器。STGAP2GSN柵極驅動器具有2A源極和3A漏極能力以及軌對軌輸出，使該設備也適用於中高功率逆變器應用，如工業應用中的功率轉換和電機驅動逆變器。該器件允許通過使用專用柵極電阻器來獨立地優化導通和關斷。

雷射雷達（lidar）是一種直接對目標物體照射雷射脈衝，然後測量反射光返回所花的時間，從而確定與物體之間距離的方法。雷射雷達系統通過直接飛行時間（DToF）和間接飛行時間（IToF）實現三維成像。該技術可精確獲取目標三維成像信息，實現高準確性、高覆蓋度及高速、高效的信息採集。 利用eGaN®FET及

1）：t0-t1時間段，Vgs電壓下降至米勒平台電壓，此過程不產生損耗。 2）：t1-t2時間段，在此時間段內因Si MOS的Crss、Coss線性度差導致Vds緩慢上升，Id幾乎不變（Id=Ipk），造成損耗。 3）：t2-t3時間段，Vgs從米勒平台快速下降至零，Vds與Id交疊，產生關斷損耗。