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搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那麼米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？。” 我們先來看IGBT開通時的典型波形： 上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開通過程中，GE的

【前言】 在現代工業的各種應用中，經常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT…) 當作輸出的驅動電路，其中最常見、也最容易造成問題的不外乎就是會上、下交替導通的拓樸—可以是全橋也可以是半橋。 這樣的拓樸在上下交替導通的期間，可能會因為各種延遲的關係而產生極為短暫的短路現象，輕則損耗變高、元件發熱、

作者：英飛凌官微        英飛凌科技股份公司的CoolSiC™產品被總部位於台灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商台達電子選用，使得台達電子向著利用綠色電力實現能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。台達成功開發出了雙向逆變器，即一個由太陽能發電、儲能和電動汽車(EV）充電組成的三合一混合系

川崎--東芝電子元件與存儲裝置株式會社（“東芝”）開發了具有低導通電阻和顯著降低開關損耗的碳化矽 (SiC) MOSFET[1]，比其第二代 SiC MOSFET 低約 20%。 功率器件是管理和降低各種電子設備的功耗以及實現碳中和社會的重要組件。 SiC 被廣泛視為下一代功率器件材料，因為它比矽提

原作者：  英飛凌汽車電子生態圈 1、功率MOSFET的寄生導通 實際上，功率MOSFET發生寄生導通（不希望發生的事件）的機率比我們的預計更高，造成的損失也更大。寄生導通通常會損壞MOSFET，而且之後很難查出故障的根源。寄生導通的機制由DS及GS電壓間的電容分壓比例決定。下圖是一個基本的Half