在電力電子和電路仿真領域，精度至關重要。仿真結果的真實性取決於各個器件所採用模型的準確性。無論是IGBT、碳化矽(SiC)還是矽MOSFET，仿真預測的可靠性與模型的精度密切相關。老話說得好，“垃圾進，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那麼輸出的也是垃圾。 設計人員根據產品手冊中在實驗室環境下測量出的器