N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列
515 mΩ（典型值），7 A MDmesh K6功率MOSFET，採用TO220-FP封裝
515 mΩ（典型值），7 A MDmesh K6功率MOSFET，採用TO220-FP封裝
產品說明
這種超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗，採用出色的MDmesh™ K6技術設計而成。設計成果為最佳單位面積導通電阻和柵極電荷，非常適合需要出色的功率密度和高效率的應用。
產品特色
• 全球領先的單位面積導通電阻RDS(on)*
• 高功率密度
• 超低柵極電荷
• 經過100%雪崩測試
• 具有齊納保護功能
產品優勢
• 效率高，設計複雜度較低
• 專門針對反激式LED驅動器拓撲設計，可實現更高的功率密度
• 較低的開發板BOM成本和較小的尺寸
推薦應用
• LED照明
• 適配器和充電器
• 輔助電源
• 表計
原廠產品介紹：STF80N600K6 點擊鏈接→
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