近年來,新能源汽車高速發展,電動化和智能化成為兩大趨勢,各大車企已逐步嘗試將第三代半導體用於汽車系統,氮化鎵高開關頻率和高能效優勢能夠很好地幫助實現新能源汽車電動化與智能化的需求。
車載雷射雷達作為自動駕駛的關鍵組成部分,需要更高精度的感知技術。在自動駕駛中,L2輔助駕駛的識別距離受限於MOS方案,相對較短,功耗較大,而L2+/L3輔助駕駛則需要達到更遠距離識別。氮化鎵晶片所具備的窄脈衝、大峰值電流、高效的性能,能夠達到更長的探測距離,並降低功率損耗和溫升,更好地滿足車載雷射雷達系統所需。
2023年底,英諾賽科已推出適用於自動駕駛雷射雷達系統的100V車規級氮化鎵晶片 INN100W135A-Q(AEC-Q101認證),目前已在多個終端客戶中導入設計。為了滿足應用多樣化的需求,英諾賽科基於100V技術平台研發了一款更小封裝體積的(WLCSP 0.9mm x 0.9mm )100V車規級氮化鎵晶片INN100W800A-Q,延續低導阻、低柵極電荷、低開關損耗以及降低的反向恢復電荷等特性,並通過AEC-Q101 認證。
當前,INN100W0135A-Q和INN100W800A-Q均已成功量產,批量訂單交付中。客戶可基於不同應用需求進行規格選型。
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