中國上海——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”，低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用於帶有USB的設備以及電池組保護。該產品於今日開始支持批量出貨。
截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產品線重點聚焦於12V產品，主要用於智慧型手機鋰離子電池組的保護。30V產品的發布為電壓高於12V的應用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設備電源線路的負載開關以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。
實現具有低漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）的雙向開關需要兩個具有低RDS(ON)的MOSFET，尺寸為3.3mm×3.3mm或2mm×2mm。東芝的新產品採用小巧纖薄的新型封裝TCSPAG-341501（3.37mm×1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）），同時在單封裝共漏極結構中搭載電阻值為9.9mΩ（典型值）的源極-源極導通電阻（RSS(ON)）。
USB PD（USB Power Delivery）專門針對需要高功率供電的設備而開發，可以提供從15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有角色交換功能，支持電源側和接收側的互換，要求USB充電設備能夠雙向供電，以便能夠同時支持電力傳輸和電力接收。此次新產品就是一款支持雙向供電，表貼面積較小的N溝道共漏極MOSFET。
將該產品與東芝TCK42xG系列中的驅動IC相結合可構成具有防回流功能的負載開關電路或可以在先合後斷（MBB）和先斷後合（BBM）之間切換操作的電源多路復用器電路。基於這種產品組合，東芝於今日發布了適用於電源源多路復用器電路的參考設計（使用共漏極MOSFET）。使用該參考設計有助於縮短產品設計與開發時間。
未來東芝將繼續擴大其產品線並改進相關特性，以提高設計靈活性。
適用於電源多路復用器電路的參考設計（使用共漏極MOSFET） 
電源多路復用器電路簡易方框圖
新型封裝TCSPAG-341501
應用
- 智慧型手機
- 筆記本電腦
- 平板電腦
特性
- 高源極-源極額定電壓：VSSS＝30V
- 低導通電阻：RSS(ON)＝9.9mΩ（典型值）（VGS＝10V）
- 雙嚮導通的共漏極連接結構
- 小巧纖薄的TCSPAG-341501封裝：3.37mm×1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）
主要規格
（除非另有說明，Ta＝25℃）
註：
[1]器件安裝在一塊FR4環氧樹脂玻璃板（25mmÍ27.5mm、厚度＝1.6mm，銅焊盤：18µm、407mm2）上
[2]器件安裝在一塊FR4環氧樹脂玻璃板（25mmÍ27.5mm、厚度＝1.6mm，銅焊盤：70µm、687.5mm2）上
Q1：東芝新推出的低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET產品是哪些？
A1：東芝新推出的低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET產品是SSM10N961L。
Q2：東芝新推出的低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET產品的優點有哪些？
A2： 30V產品應用如USB充電設備電源線路的負載開關以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。
Q3：東芝新推出的低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET產品是什麼封裝的？
A3：東芝的新產品採用小巧纖薄的新型封裝TCSPAG-341501（3.37mm×1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）），同時在單封裝共漏極結構中搭載電阻值為9.9mΩ（典型值）的源極-源極導通電阻（RSS(ON)）。
Q4：東芝新推出的低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET產品有什麼特性？
A4：東芝新推出的低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET產品特性：
- 高源極-源極額定電壓：VSSS＝30V
- 低導通電阻：RSS(ON)＝9.9mΩ（典型值）（VGS＝10V）
- 雙嚮導通的共漏極連接結構
- 小巧纖薄的TCSPAG-341501封裝：3.37mm×1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）
Q5：東芝新推出的低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET產品應用於哪些方面？
A5：東芝新推出的第三代碳化矽（SiC）產品應用於
（1）智慧型手機、（2）筆記本電腦、（3）平板電腦等。
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