杭州士蘭微電子股份有限公司坐落於杭州高新技術產業開發區，是專業從事集成電路芯片設計及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業。公司成立於1997年9月，總部在中國杭州。2003年公司股票在上海證劵交易所掛牌，是第一家在中國境內上市的集成電路芯片設計企業。受益於中國電子信息產業快速成長，士蘭微電子已成為國內規模最大的集成電路芯片設計與製造一體的企業之一，其技術水準、營運規模、營利能力等各項指標在國內同行中均排名前面。士蘭微電子產品涵蓋眾多領域，包含綠色電源芯片、MEMS傳感器、LED照明與平險技術、功率半導體等等。
杭州士蘭微電子從1997成立至今也有將近30年頭，在功率器件領域也投入不少心力，今日跟大大通圍觀者介紹士蘭微電子HV MOS(高壓金屬氧化物半導體場效電晶體)產品，紹士蘭微電子HV MOS主要分為三大類:Planar HVMOSFET、Multi-Epi DPMOSFET跟Trench DPMOSFET。Planar HVMOSFET的VDSS電壓範圍從300V至1500V，Planar HVMOSFET有下面幾點特色:適用低開關頻率的應用、大電流衝擊能力與魯棒(Robustness)性優。Multi-Epi DPMOSFET的VDSS電壓範圍從600V至1200V，Multi-Epi DPMOS已經發展出ME2、ME3、ME4等世代，ME2提供600V至1200V電壓範圍。ME3提供600V至800V電壓範圍。ME4提供600V至650V電壓範圍。Multi-Epi DPMOSFET有下面幾項特色:適用高頻切換應用、高效率與高功率密度應用。Trench DPMOSFET的VDSS電壓是以650V為主，Trench DPMOSFET有下面幾點特色:適用更高的切換頻率場合、更高的效率與更低成本。
士蘭微電子HV MOS 所提供IDS電流從5A 至83A。士蘭微電子HV MOS 所提供RDS(ON)從28.3mohm 至5ohm。士蘭微電子HV MOS提供目前市場主流的包裝，如表1所示，包涵TO-251、TO-252、TO-263、TO-220(F)、TO-247、8x8或TOLL等市場主流用料包裝。士蘭微電子所提供HV MOS適用於適配器電源、消費性電源、伺服器電源、網通電源、工業電源等應用。士蘭微電子 ME4 MOS DPMOS相關料號、包裝、電壓如下表2所示。
表1、士蘭微電子HV MOS包裝(來源:士蘭微官網)
表2、士蘭微電子ME4 DPMOS產品料號列表(來源:士蘭微官網)
士蘭微電子HV MOSFET特色：
- 適用低、高頻切換應用
- 大電流衝擊能力
- 高魯棒(Robustness)性
- 高效率
- 高功率密度
- 低成本
士蘭微電子HV MOSFET 規格：
- VDSS = 300V~1500V
- RDS(on),MAX = 0.028Ω ~ 5Ω
- TO-251、TO-252、TO-263、TO-220(F)、TO-247、8x8、TOLL Package
應用產品：
- 適配器電源
- 消費性電源
- 伺服器電源
- 網通電源
- 工業電源
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