近日，英飛凌連續發布兩則碳化矽創新產品和新一代技術的重磅消息，引起業界的關注和熱議。憑藉著在功率半導體器件領域技術和創新的雙輪驅動，英飛凌始終站在技術前沿。本期“零碳故事”特邀英飛凌工業與基礎設施業務大中華區高級技術總監陳立烽先生淺談英飛凌的技術實力和創新能力，深挖創新背後的故事。
(本文因篇幅有限，只能提煉專家的部分金句）
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新一代CoolSiC™ MOSFET G2技術，到底“新”在哪裡？
“英飛凌不斷突破可能性的邊界，在充滿活力的碳化矽創新浪潮中保持著領軍者的位置。”
英飛凌碳化矽單管有650V、1200V、1700V、2000V四個電壓等級。就主流電壓等級而言，英飛凌可以說是業內碳化矽產品最齊全的半導體企業。
最新發布的CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化矽分立器件，基於第一代的碳化矽技術，在電壓等級上實現向上拓展，成為市面上首款擊穿電壓達到2000V的碳化矽分立器件。
而新一代CoolSiC™ MOSFET Gen2的技術亮點紛呈：它具有業界最低的Rdson導通電阻，單個單管封裝可低至7毫歐。同時，該技術在保證低導通電阻的同時，承諾2微秒的短路能力，這在業界遙遙領先。此外，新一代CoolSiC™ MOSFET Gen2的最大工作結溫直接提升到200攝氏度，相較於第一代產品有了顯著的提升。
2
英飛凌如何保持在碳化矽技術的創新優勢？
“創新不是速度與激情，而是長期耕耘的“細水長流”。
英飛凌這麼多年在碳化矽的技術積累為今天在產品上的發力提供了堅實的基礎，從晶圓製成到晶片設計，封裝都有著深厚的技術實力：
我們在2018年獲得的冷切割技術，大幅減少SiC生產過程中的原材料損耗，確保質量的同時，從容面對不斷增長的碳化矽市場需求；
我們的優勢還在於早期就決定採用溝槽MOSFET技術。憑藉25年的經驗積累，英飛凌掌握了溝槽柵生產的關鍵技術和挑戰。越來越多公司將溝槽技術概念納入其SiC產品路線圖，也證明了我們的技術戰略是正確的。
英飛凌在封裝技術方面持續創新，大家熟悉的Easy 1B/2B，Ecoco都是英飛凌的原創設計。最近屢獲殊榮的.XT互連技術，也英飛凌的一項創新技術，與傳統封裝相比，能進一步提升基於碳化矽設計的優化潛力。
3
碳化矽在不久的將來是否會取代矽基功率半導體？
“Si和SiC將會是一個共存的狀態，會各自在最能發揮他們產品性能的應用中繼續扮演關鍵的角色。”
英飛凌在功率半導體保持連續20年市占率第一的成績，以英飛凌為代表的IGBT技術也在不斷進步，從整體發展趨勢來看，呈現出大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性的特點。我們去年推出的IGBT7單管系列正是符合這一趨勢。其中，1200V/140A的規格為市場上第一款大電流的1200V IGBT單管。
此外，英飛凌完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems)，從Si、SiC到GaN，英飛凌掌握所有的關鍵材料和技術，擁有最廣泛的產品組合，客戶可以根據系統優化的不同需求，進行靈活的方案配置。
4
英飛凌如何把創新力轉化成產品力？
“創新力：源頭在“創”，核心在“新”，成果在“力””。
我們從一開始在工業應用、基建以及汽車領域做好全面的市場布局，專注於Mobility, Energy Efficiency以及IoT的技術創新以及產品開發。因此，我們在市場上提供了更廣泛、細緻的產品組合，使得客戶能夠根據自身需求，選擇最適合、成本效益最高的產品。
同時，英飛凌始終與富有創新精神的客戶並肩前行。通過交流所積累的知識和經驗，成為了我們始終站在技術前沿的寶貴財富，為日後市場的騰飛奠定堅實的基礎。
此外，針對應用，我們為客戶創新設計定製功率模塊，產品定製化已經成為了我們非常重要的業務模塊。通過縮短設計周期，加速產品上市時間，為客戶搶得市場先機。而在定製化成功的背後，完善的定製化服務管理體系以及專業的研發團隊提供了堅實的保障。
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