那如果受板子實際情況限制，必須這樣layout，是一定不行嗎？
有這個問題的原因，主要是因為兩點：
一是因為從原理圖上看來，二者並沒有區別，都是ESD元件接在同一個網路GPIO上面。既然沒有區別，那為什麼結果會有差異呢？對於新手來說，確實難以理解。
二是既然跟layout有關，那兩種不同的layout方式？到底是影響了什麼參數造成了這個差異呢？這些網上也沒有找到相關的較深入的文章。
問題的原因——走線電感
我們設想的是，放電時，靜電能量都從ESD元件這裡泄放掉，而不通過我們的晶片放電，這樣才能實現ESD元件保護晶片的目的。
如上圖，理想情況下，如果ESD管的鉗位電壓足夠低，那麼靜電放電電流基本都從ESD元件進行泄放問題是，我們通常要通過PCB實現這個電路，PCB Layout走線也不是理想的，會有走線電感。
ESD放電時信號頻譜頻寬是幾十Mhz到500Mhz，是高頻的，而電感是頻率越高，阻抗越大。如果Layout引入寄生電感，ESD泄放的時候電流也會在電感上面形成壓降，導致晶片端殘壓升高，如果電壓高於了晶片的耐受電壓，那麼就會擊穿晶片，導致防護失敗。
上面說法還是籠統，下面我們拿資料說話。
走線電感的阻抗
很多人可能會認為走線電感，那不就是寄生電感嗎，聽起來就很小，不能直接忽略嗎？
能不能忽略自然就是看影響，只有沒影響的情況下才能忽略，那到底能不能忽略呢？
套用這個公式，可以得到走線長度1cm，寬度為6mil，銅厚為1oz的走線電感為9.41nH。
現在電感值已經有了，是9.41nH，我們根據公式ZL=jwL=2πfL，得到在50Mhz（ESD放電波形電流頻譜是幾十Mhz到500Mhz，在ESD釋放時能量主要集中在幾十Mhz這個頻率，所以取50Mhz）
時的阻抗ZL(50Mhz)=2*π*50Mhz*9.41nH≈3Ω。
電感走線阻抗已經知道了，那麼影響到底有多大呢？
如果我們是理想Layout 的情況下（沒有寄生電感），那麼在ESD管泄放電流Ipp為1A的時候，鉗位電壓為12V。而如果現在Layout不好，引入了寄生電感，其50Mhz時，等效阻抗為3歐姆，如果電流依然是1A，那麼電感上面的壓降就是3V，這樣導致整體看起來，鉗位元電壓從12V提到到15V。
以上舉的是6mil，10mm的走線長度，這個走線長度已經是非常小的了，可以看到，它已經對我們的ESD性能造成了影響。 如果長度增加到10cm，從上表知道，走線電感就是140nh，50Mhz對應阻抗是ZL(50Mhz)=2*π*50Mhz*140nH≈43Ω，同樣的方法得到1A定流時的等效鉗位元電壓VC=55V，這是我們說這個ESD完全沒用應該是沒毛病的。
小結
本文主要是對於ESD元件的Layout要求的理解，主要從寄生電感的角度來說的，雖說文章有一些資料，但是整體還算是定性分析。實際情況是更為複雜的，比如說ESD管到MCU也有走線，也有寄生電感，這對ESD更為友好一點。還有就是如果寄生電感大了，ESD的泄放電流應該也會小一些，而上面的資料都是假設Ipp是1A時的情況。Q & A：
Q1：壓敏電阻也是用來防護因為電力供應系統的暫態電壓突波，所可能對電路之傷害，那它與TVS主要的差異為何？
Ans：兩者相對比，其結果是在施加1,000 次 8kV IEC 61000-4-2 ESD 脈衝條件下， TVS 元件的漏電流小於0.1 μA，而壓敏電阻在少於20 個ESD 脈衝下漏電流就會超過100 μA。由此可見，在重複ESD 應力作用下，TVS 仍能維持極高的性能，而壓敏電阻的性能會隨之下降，聚合物也面臨著跟壓敏電阻類似的問題。
Ｑ2：TVS與Zener Diode的差別為何?
Ｑ3：TVS二極體單向的及雙向的差異為何?
Ans：單向的TVS二極體在順向操作時類似整流器，但在其設計允許承受很大的峰值電流，雙向的TVS二極體可以視為是二個極性相反的雪崩二極體相串聯，再和要保護的電路並聯。雖然在電路中會標示為二個二極體，不過實際元件是將二個二極體封裝在同一個包裝中。
Q4：TVS若是採用SCR電路設計，為何會不適用在某些Type-C接口應用？
Ans：在Type-C接口的防護電路中，如果TVS選型不恰當，使用SCR電路設計的TVS應用在VBUS端或者CC Pin線路時，更容易發生Latch-up風險，當然信號線同樣也會發生此風險。主要原因是ESD、Surge等瞬態突波耦合到接口線路時，外部突波電壓高於TVS的擊穿電壓時，TVS就會導通開啟。若因為選型不當，TVS開啟後Snap-back電壓（Vsb or Vhold），低於電源正常工作電壓Vbus或者Data信號電壓的最大值VMAX，即使外部突波干擾消失，TVS也會一直保持導通狀態，此時電流大量增加，電源電壓將被拉低或者正常信號傳輸將被干擾，嚴重時TVS燒毀短路，造成器件或者整個電路被EOS損壞。
Q5：AOS TVS優勢何在?
Ans：AOS TVS二極體，其特點為反應速度快，體積小，脈衝功率較大，超低鉗位電壓等特性，對於超高速訊號需求推出，也有推行一系列相關的產品。
Ｑ6 : 可以推薦那幾個料號及應用?
Ans: AOZ8S201BMS-05 / AOZ8S312BD4-03 / AOZ8S303BLS-24 / AOZ8S315BLS-05
AOZ8S201BMS-05 : Low operating voltage: 3.3V, 5V. Low capacitance: 0.075pF.
USB4, Thunderbolt 4, PCI Express.
AOZ8S312BD4-03 : Super-low capacitance (<0.1pF).
Super/high-speed interfaces such as Thunderbolt 4.0/3.0, USB4.0/3.2/3.1/3.0, HDMI2.1/2.0.
AOZ8S303BLS-24 : Low operating voltage: 24V, Low capacitance: 0.2pF.
USB3.2, Thunderbolt, PCI Express
AOZ8S315BLS-05 : Low operating voltage: 3.3V, 5V.
USB4, Thunderbolt 4, PCI Express.
參考來源