【東芝半導體】4500 V/1000 A 新型壓接式 IEGT，有助於高壓轉換器的尺寸減小和高輸出

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）推出了新開發的壓接型包裝IEGT ^[1]“ST1000GXH35”，額定電壓為4500 V/1000 A，適用於直流輸電系統和工業馬達控制器等高壓轉換器。

新產品ST1000GXH35採用溝槽型IEGT晶片和高速二極體晶片。

IEGT 晶片可降低集極-射極飽和電壓並提高關斷耐受性、短路耐受性和高溫耐受性。因此，與現有產品 ST750GXH24 相比，集極-射極飽和電壓 (V _CE(sat)) ^[2]降低了約 28%，從 3.00 V 降至 2.15 V（Typ.）。
高速二極體晶片抑制反向恢復時的電壓振盪，提高反向恢復耐受性和高溫耐受性。新產品可以比現有產品以更高的開通速度使用，因此開通損耗 (E _on) ^[3][4]降低了約 34%，從 4.15 J 降至 2.75 J（Typ.）。
針對需要高電壓的應用，關斷測試和短路測試的測試電壓已提高至3400 V ^{[5] 。}此外，透過提高二極體的耐高溫能力，接面溫度值已從 125 °C 提高到 150 °C（最大值）。

ST1000GXH35有助於降低直流輸電、靜態無功補償器和工業馬達控制器等高壓轉換器的小型化和高輸出。

圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/igbt-iegt/igbt-iegt-20240424-1d.html

註：
[1] IEGT：電子注入增強型閘極電晶體[2] V _CE(sat)條件：V _GE=15 V， _IC=750 A， T _j=125 °C
[3] E_在現有產品ST750GXH24 的條件下： V _CC=2800 V，IC ₌750 A，R _G(on)=10 Ω，L _S≈300 nH ， T _j=125 °C
[4]新產品 ST1000GXH35 條件_{下的 E：V CC}=2800 V， I _C=750 A，R _G(on)=5.6 Ω，L _S≈300 nH ， T _j=125 °C
[5] 現有產品 ST750GXH24 關閉測試電壓為 2700 V，短路測試電壓為3000V。