【東芝半導體】擴大突波保護齊納二極體的陣容，透過增加新的電壓等級來支援電子設備的品質改進

關鍵字 :TOSHIBA Protection Zener Diode ESD

東芝擴大了產品陣容，增加了十個10 齊納電壓等級，每個齊納二極體都是五系列[1]，可保護半導體裝置免受開關浪湧[2] 和靜電放電(ESD)[3]的影響。

新產品可保護半導體裝置免受開關突波和感應雷突的影響，脈衝寬度為微秒至毫秒量級，過電壓可與直流相媲美。
此外，與東芝現有產品系列相同，低動態電阻和低箝位電壓特性提供了卓越的突波吸收能力，並降低了施加到半導體裝置的電壓。
這有助於提高電子設備的品質。
這些封裝為業界標準 SOT-23、3 引腳封裝 SOT-346 (S-Mini)、SOT-323 (USM)、2 引腳封裝 SOD-323 (USC) 和 SOD-523 (ESC)。
此外，還增加了齊納電壓等級以適應各種電壓線路和安裝區域。

圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/diode/diode-20240515-1d.html

備註：
[1] MKZ系列、MSZ系列、MUZ系列、CUZ系列、CEZ系列
[2] IEC61000-4-5（tp=8/20 μs 脈衝）
[3] IEC61000-4-2

應用

消費性設備（家用電器、電源等）
工業設備（OA設備、電源等）

特性

可提供微秒至毫秒量級寬脈衝寬度範圍的突波保護
低動態電阻和低箝位電壓
添加齊納電壓以支援各種電壓線：VZ（典型值）=5.6 V 至 36.0 V（包括現有產品）並與 E24 系列相容

主要規格

MKZ Series

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MSZ Series

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MUZ Series

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CUZ Series

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CEZ Series

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備註:
[4] TLP 參數：Z0=50 Ω，tp=100 ns，tr=300 ps，平均視窗t1=30 ns 至t2=60 ns，使用ITLP1=16 A 和ITLP1=16 A 之間的TLP 特性的最小二乘擬合提取動態電阻ITLP2=30A。
[5] ITLP =16A
[6] 新產品

內部線路

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應用線路範例

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備註:
本文檔中所示的應用電路僅供參考。
需要徹底的評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。

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參考來源

TOSHIBA: https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/diode/diode-20240515-1d.html