STPOWER MOSFET MDmesh M9系列，採用TO247- 4封裝，N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A
產品說明
該N溝道功率MOSFET基於創新超結MDmesh M9技術，具有非常低的單位面積導通電阻RDS(on)，適合中/高電壓MOSFET。基於矽的M9技術採用多漏製造工藝，增強了器件結構。在所有矽基快速開關超結功率MOSFET中，運用此工藝製造的產品具有較低的導通電阻並降低了柵極電荷值，特別適合需要超高功率密度和出色效率的應用。
產品特色
• 在基於矽的器件中，單位面積RDS(on)全球領先
• 更高的VDSS額定值
• 更高的dv/dt性能
• 出色的開關性能
• 易於驅動
• 經過100%雪崩測試
產品優勢
• 更高的功率密度、更低的導通損耗，以及更緊湊的解決方案
• 低開關功率損耗帶來高效率和高開關速度
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