SiC 碳化矽是高壓開關和整流的最新突破,ST意法半導體的碳化矽（Silicon Carbide）器件包括SiC MOSFET 電壓範圍為 650 至 1700 V，具有業界最高的 200 °C 介面溫度junction temperature額定值，可實現更高效、更簡化的設計，STPOWER SiC 二極管電壓範圍為 600 至 1200 V，正向電壓（VF）比標準矽二極體降低 15% !
網頁如下：
https://www.st.com/en/sic-devices.html
STPOWER 碳化矽MOSFET
網頁如下：
https://www.st.com/content/st_com/en/products/sic-devices/sic-mosfets.html
主要特點：
符合汽車級 （AG） 標準的元件
極高的溫度處理能力（最大 Tj= 200 °C）
極低的開關損耗（隨溫度的變化最小），允許在非常高的開關頻率下工作
在整個溫度範圍內具有低導通電阻
易於驅動
經過驗證的非常快速和堅固的本徵二極體
STPOWER 碳化矽Diodes
網頁如下
https://www.st.com/content/st_com/en/products/sic-devices/sic-diodes.html
主要特點：
非常低的正向傳導損耗以提高效率
低開關損耗以減小電源轉換器的尺寸和成本
軟開關行為（低 EMC 影響），簡化認證並加快上市時間
高正向浪湧能力以提高穩健性和可靠性
高功率集成（雙二極管）以減少 PCB 尺寸
高溫能力 Tj max = 175 °C
符合 AEC-Q101 標準且具有 PPAP 能力的汽車級 SiC 二極管
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