從SiC蕭特基二極體（簡稱SBD）的構造如下圖所示，讓金屬與半導體SiC接合（蕭特基接面）以便獲得蕭特基障壁（Schottky Barrier），
與Si的蕭特基二極體基本上相同，重點特徴也同樣為高速性。
那麼SiC-SBD的特徴是什麼？除了高速性佳，同時也可達到耐高壓，Si-SBD的耐壓極限是200V，相反地，SiC擁有矽的10倍絕緣破壊電場。
基於以上說明，SiC-SBD由於trr高速且本身幾乎沒有溫度依附性，通常反向電流特性不會有變化導致反向恢復電流大幅減少，以及低洩漏電流(Ir) 和開關模式電源所需的高浪湧電流能力，因此，就能實現低損耗以及高耐用性於線路當中。
與Si的蕭特基二極體基本上相同，重點特徴也同樣為高速性。
那麼SiC-SBD的特徴是什麼？除了高速性佳，同時也可達到耐高壓，Si-SBD的耐壓極限是200V，相反地，SiC擁有矽的10倍絕緣破壊電場。
基於以上說明，SiC-SBD由於trr高速且本身幾乎沒有溫度依附性，通常反向電流特性不會有變化導致反向恢復電流大幅減少，以及低洩漏電流(Ir) 和開關模式電源所需的高浪湧電流能力，因此，就能實現低損耗以及高耐用性於線路當中。
如下圖為1.6kW的AC-DC通信電源架構，輸入:交流全電壓90-264V / 輸出:直流48V
可以看到，東芝除了有高低壓的MOSFET以及訊號迴授PHOTO外，在PFC DIODE位置，也應用了SiC-SBD>TRS8A65F(TO220F/8A/650V)
如下為規格書:
