TAIKO製程簡介
TAIKO製程，是新世代封裝新技術中使用的晶片背面研磨的名稱。這項技術和以往的背面研磨不同，在對晶片進行研磨時，將保留晶片外圍的邊緣Ring部分（約3mm左右），只對圓內進行研磨薄型化。通過導入這項技術，可實現降低薄型晶片的搬運風險和減少翹曲的問題。
TAIKO製程優點
通過在晶圓外圍留邊
Δ減少晶片翹曲
Δ提高晶片強度
使薄型化後的加工更方便，形成穿孔、配置接線頭加工等。
不使用硬基體等的一體構造優點
Δ晶片薄型化後需要高溫工序(鍍金屬等)時，沒有脫氧現象發生
Δ因為是一體構造，形狀單一，可降低顆粒帶入汙染的現象
※不使用硬基體等，僅憑藉晶片本身，即可維持構造(形狀)
研磨時外圍區域不受負重的優勢
Δ比研磨外圍區域有梯狀的晶片更方便安全
Δ崩角現象為零
TAIKO製程流程
TAIKO對於市場幫助
WLCSP適用於廣泛的市場，如類比/混合信號、無線連接、汽車電子，
也涵蓋整合無源器件（IPD）、轉碼器(Codec)、功率放大器(Power Amplifier)、驅動IC(Driver)，射頻收發器(RF Transceivers)，無線局域網網路晶片(Wireless LAN)、導航系統(GPS),
和汽車雷達(Automotive Radar)。
WLCSP能提供最低的成本，最小的尺寸，是性價比最高，最可靠的半導體封裝類型之一。
從市場的角度看，非常適合但不限於手機、平板電腦、筆記型電腦、硬碟、數位攝影機、導航設備、遊戲控制器、其他可攜式/遠端產品和汽車的應用。
晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)是一種先進的封裝技術，完成凸塊後，不需要使用封裝基板便可直接焊接在印刷電路板上。
它是受限於晶片尺寸的單一封裝。更詳細描述的話，它是涵蓋了再分佈層（RDL），晶圓凸塊(Bump）,晶圓級測試(Test)，研磨切割(Sawing)和捲帶形式的包裝(Tape and Reel)。
從現行量產數量來看，WLCSP是五大先進封裝技術的主力之一，由於WLCSP封裝時不需封裝基板，在性能/成本上有非常高性價比的優勢。
在封裝選型時，如果尺寸大小、工藝要求、佈線可行性，和I/O數量都能滿足需求時，最終客戶有很大機會會選擇WLCSP，因為它可能是成本最低的封裝形式。
TAIKO製程更有效將Wafer薄化到100um以下的厚度，再進行後製加工
目前產業界TAIKO穩定製成的標竿為(聯華電子 UMC)量產厚度在75um左右，此製成還在進步中，未來可期待在25um~50um也可達成穩定量產技術。